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TESEO的UART0_TX为boot1，该引脚的信号在上电重启或硬重启时会被锁存，以备resetrelease时给defaultregistermap用。IO的电源电压配置：IO引脚归属于不同IOring，不同的IOring可以被输入不同的电压。CPU在判决IO的逻辑电平时会和IOring的电平(乘以高低电平的系数)作比较。数字电路中的摆幅：输入摆幅和输出摆幅。输入摆幅指的是输入高电平和输入低电平的差值，输出摆幅指的是输出高电平和输出低电平之间的差值，TTL的摆幅偏小。

一 ：产品执行标准

GB/T4989-94（等效采用IEC584-3标准）

本质安全防爆测温系统用补偿导线或电缆采用低电容、低电感材料结构，具有防爆安全性能，适用于有危险的环境下作防爆热电偶冷短与防爆测温仪表连接，形成本安热电偶测温系统。

二：产品特点及用途

　　一般用聚氯乙绝缘和护套补偿导线或电缆具有优良的防潮、耐磨及阻燃特性；耐高温氟塑料绝缘和护套补偿导线或电缆采用连续挤出工艺，更有耐高温、耐寒、耐酸碱油水、不延燃、抗老化等优 效采用IEC584-3）的规定。

三：使用特性

1． 导体工作温度：耐热级：聚全氟乙丙（F46）200℃

可溶性聚四氟乙260℃

硅橡胶180℃，其他性能见硅橡胶电缆。

普通级：聚氯乙70℃和105℃，交联聚乙90℃

低烟无卤阻燃聚烃70℃，交联型90℃和125℃，其他性能见低烟无卤电缆。

2． 低环境温度：聚氯乙护套：固定敷设-40℃，非固定敷设-15℃

氟塑料绝缘和护套：固定敷设-60℃，非固定敷设-20℃

3． 电缆允许弯曲半径： 非铠装电缆为外径的6倍

铜带屏蔽或钢带铠装点缆为电缆外径的12倍

氟塑料绝缘和护套为电缆外径的10倍

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同时还可以通过插座上面的关，控制插座电源。适用对象：所有热水器。明装断路器可以直接在86型接线盒上面的明装断路器，具有过载、短路、漏电保护功能，还可以通过断路器上的手柄，控制电器电源。适用对象：所有柜机空调。地插适用对象：桌下（餐桌、书桌、茶几），榻榻米或地台上。网络插座接网线的插座，原本还有有线电视插座和电话插座，现在都不需要了。适用对象：每个卧室内（如果在卧室使用电视，则卧室里需要装两个），客厅电视旁，书房。

四：基本型号及名称

1：热电偶用补偿导线型号名称

KX-GA-VV 聚氯乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-VVR 聚氯乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-VVP 聚氯乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-VVRP 聚氯乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FF 氟塑料绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FFR 氟塑料绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FFP 氟塑料绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FFRP 氟塑料绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FG 氟塑料绝缘硅橡胶护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FGR 氟塑料绝缘硅橡胶护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FGP 氟塑料绝缘硅橡胶护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FGRP 氟塑料绝缘硅橡胶护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FV 氟塑料绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FVR 氟塑料绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FVP 氟塑料绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线

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KX-HA-FVRP 氟塑料绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YJV 交联聚乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-YJVR 交联聚乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YJVP 交联聚乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-YJVRP 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YDYD 低烟无卤绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA- YDYD R 低烟无卤绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA- YDYD P 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA- YDYD RP 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线

注：上述型号仅列出KX，其他如SC、KC、EX、BC、TX、JX只需改变型号项即可，

阻燃型补偿导线型号前加ZR，ZR192为进口PFA材料，屏蔽可采用镀锡铜丝屏蔽。

ZRA-KX-HSGGP-北京补偿导线/北京补偿电缆值得选择[股份@有限公司]欢迎您当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。