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ZR-YGC-F46硅橡胶电缆ZR-KX-GS-GGRP补偿导线工厂执行标准[股份有限公司]欢迎您
DDZ-KVVRP 3*1.5低烟低卤阻燃屏蔽控制软电缆DDZ-KVVRP低烟低卤屏蔽 的地铁、高层建筑、商场、剧院、发电站、化学工厂、市广场及其他公用事业等对电缆阻燃特性要求高的场合。DDZ-KVVRP低烟 DZ-KVVRP低烟低卤屏蔽控制软电缆使用特性: sp;2、电缆长期工作温度为70℃ 3、电缆敷设温度不低于0℃ 振动的测量不同于噪音测量所示的规格,振动测量方法及振动计有很多种。振动传感器包括位移计、速度针、加速度计等,其中与速度成比例的电动型以及与加速度成比例的压电型振动传感器较常使用。振动测量时,必须注意传感器的指向性与被测物的振动方向。振动传感器时,必须注意使振动不影响到自身。下图表示步进电机的振动测量功能框图和测量举例。上图的测量举例,纵轴取振动加速度,横轴取作驱动频率,连续自动扫频测量。相对应的,下图为2相HB型步进电机的三维振动图形。ZR-YGC-F46硅橡胶电缆ZR-KX-GS-GGRP补偿导线工厂执行标准[股份@有限公司]欢迎您4、弯曲半径:无铠装电缆应不小于电缆外径的6倍,有铠装或铜带屏蔽结构的电缆应不小于电缆外径的12倍。电缆型号、名称:型号 名称 DDZ-KVV 铜芯低烟低卤阻燃型聚氯乙绝缘和护套控制电缆 DDZ-KVVP 铜芯低烟低卤阻燃型聚氯乙绝缘和护套铜丝编制屏蔽控制电缆 DDZ-KVVR 铜芯低烟低卤阻燃型聚氯乙绝缘和护套控制软电缆 DDZ-KVVRP 铜芯低烟低卤阻燃型聚氯乙绝缘和护套铜丝编制屏蔽控制软电缆 DDZ-KVVP2 铜芯低烟低卤阻燃型聚氯乙绝缘和护套铜带绕包屏蔽控制电缆直接在管道上的仪表,宜在(管道扫后压力试验前),当必须与管道同时时,在(管道扫前)应将仪表拆下。3仪表盘、柜、台、箱在搬运和过程中,应防止(变形)和(表面油漆损伤)。及中严禁(使用气焊切割)。3仪表盘、柜、操作台的型钢底座的(尺寸),应与盘、柜、操作台相符,其直线度允许偏差为(每米1mm),当型钢底座长度大于5m时,全长允许偏差为(5mm)。3仪表箱、保温箱、保护箱的时垂直度允许偏差为(3mm);当箱的高度大于1.2m时时,垂直度允许偏差为(4mm);水平度允许偏差(3mm)。ZR-YGC-F46硅橡胶电缆ZR-KX-GS-GGRP补偿导线工厂执行标准[股份@有限公司]欢迎您 DDZ-KVVP22 铜芯低烟低卤阻燃型聚氯乙绝缘和护套钢带铠装控制电缆 DDZ-KVVP32 铜芯低烟低卤阻燃型聚氯乙绝缘和护套钢丝铠装控制电缆 名词解释:低烟:在规定的试验条件下,试样受热货燃烧释放出的烟比较少,符合规定的指标特性。 低卤:在规定的试验条件下,试样燃烧时释放的卤化气体 体的含量比较少,符合规定的指标特性。 阻燃:在一定的试验条件下,试样被燃烧,在撤去火源后,火焰的蔓延仅在规定的范围内,残焰或残灼在规定的时间内能自行熄灭的特性。场效应管通常分为两类:JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的:在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区,这两个区分别叫源极S和漏极D,在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。
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