高温补偿导线ZR-KX-HB-FF/5x2x1.5mm喷码清晰[股份有限公司]欢迎您

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由于Sin[ωt]在求导或积分后会出现Sin[ωt±90°]，所以对于接上了正弦波的电感、电容，横坐标为ωt时可以观察到波形超前滞后的现象，直接从静态的函数图上看不太容易理解，还是成动画比较好。下图是电感的，用红色表示电压，蓝色表示电流。如果接上理想的直流电压表、直流电流表，可以观察到电压的变化超前于电流，电流的变化滞后于电压。时间增加时，纵坐标轴及时间原点会随着波形一起往左。如果把波形画在矢量图右方，就是下面这种动画，但横坐标右方是过去存在的波形，指向过去，是-ωt。

一 ：产品执行标准

GB/T4989-94（等效采用IEC584-3标准）

本质安全防爆测温系统用补偿导线或电缆采用低电容、低电感材料结构，具有防爆安全性能，适用于有危险的环境下作防爆热电偶冷短与防爆测温仪表连接，形成本安热电偶测温系统。

二：产品特点及用途

　　一般用聚氯乙绝缘和护套补偿导线或电缆具有优良的防潮、耐磨及阻燃特性；耐高温氟塑料绝缘和护套补偿导线或电缆采用连续挤出工艺，更有耐高温、耐寒、耐酸碱油水、不延燃、抗老化等优 效采用IEC584-3）的规定。

三：使用特性

1． 导体工作温度：耐热级：聚全氟乙丙（F46）200℃

可溶性聚四氟乙260℃

硅橡胶180℃，其他性能见硅橡胶电缆。

普通级：聚氯乙70℃和105℃，交联聚乙90℃

低烟无卤阻燃聚烃70℃，交联型90℃和125℃，其他性能见低烟无卤电缆。

2． 低环境温度：聚氯乙护套：固定敷设-40℃，非固定敷设-15℃

氟塑料绝缘和护套：固定敷设-60℃，非固定敷设-20℃

3． 电缆允许弯曲半径： 非铠装电缆为外径的6倍

铜带屏蔽或钢带铠装点缆为电缆外径的12倍

氟塑料绝缘和护套为电缆外径的10倍

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modbus从站把地址映射到保持寄存器区的地址不超过9999的部分，p 间。对应的PLC地址就是从40001始，转换方式是“协议地址+40001=PLC地址”；有些modbus从站把地址映射到保持寄存器区的地址超过9 式是“协议地址+400001=PLC地址”。

四：基本型号及名称

1：热电偶用补偿导线型号名称

KX-GA-VV 聚氯乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-VVR 聚氯乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-VVP 聚氯乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-VVRP 聚氯乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FF 氟塑料绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FFR 氟塑料绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FFP 氟塑料绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FFRP 氟塑料绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FG 氟塑料绝缘硅橡胶护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FGR 氟塑料绝缘硅橡胶护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FGP 氟塑料绝缘硅橡胶护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FGRP 氟塑料绝缘硅橡胶护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FV 氟塑料绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FVR 氟塑料绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FVP 氟塑料绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线

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KX-HA-FVRP 氟塑料绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YJV 交联聚乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-YJVR 交联聚乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YJVP 交联聚乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-YJVRP 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YDYD 低烟无卤绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA- YDYD R 低烟无卤绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA- YDYD P 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA- YDYD RP 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线

注：上述型号仅列出KX，其他如SC、KC、EX、BC、TX、JX只需改变型号项即可，

阻燃型补偿导线型号前加ZR，ZR192为进口PFA材料，屏蔽可采用镀锡铜丝屏蔽。

高温补偿导线ZR-KX-HB-FF/5x2x1.5mm喷码清晰[股份@有限公司]欢迎您主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。