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另外：图中的SQ1与SQ2为限位关，QS为电源总关，FU1与FU2为熔断器，FR为热保护继电器。正常情况下，按下SB1，KMF线圈带电，KMF-1闭合，KMF-2断，电机始转动，我们定此时为正转，设备的动作为向上行驶，当碰到限位关SQ1时，SQ1将断，KMF线圈因而断电，电机不再正向转动，设备也不能再向上行驶；按下SB2也是类似的控制，但电机反转，设备的动作为向下行驶。若主线路接线时，接反相了会怎样呢？按下SB1，同样是KMF线圈带电，KMF-1闭合，KMF-2断，电机转动，但此时由于反相，电机将会是反转，设备向下行驶，碰到的限位关将是SQ2。

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基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。

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KX-HSFBRPHFFP型热电偶补偿导线执行标准[股份@有限公司]欢迎您我个人的喜好是使用箭头代表电源，我也没遇到过哪一位工程师喜欢R1和R2那样欧洲画法的电阻，甚至Altium里的可变电阻符号R3也没有意义，除非它有三个脚，或者在封装上把两个脚短接在一起。我也喜欢晶体管上的圆圈、短引脚、字母N或P清晰地显示MOSFET的类型，以及有助于显示管子类型的栅极引脚，可以翻转的P沟道类型，以便源极位于上面，因为更多的正电源也在上面。我很欣赏Altium/CircuitStudio显示体二极管。