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另外:图中的SQ1与SQ2为限位关,QS为电源总关,FU1与FU2为熔断器,FR为热保护继电器。正常情况下,按下SB1,KMF线圈带电,KMF-1闭合,KMF-2断,电机始转动,我们定此时为正转,设备的动作为向上行驶,当碰到限位关SQ1时,SQ1将断,KMF线圈因而断电,电机不再正向转动,设备也不能再向上行驶;按下SB2也是类似的控制,但电机反转,设备的动作为向下行驶。若主线路接线时,接反相了会怎样呢?按下SB1,同样是KMF线圈带电,KMF-1闭合,KMF-2断,电机转动,但此时由于反相,电机将会是反转,设备向下行驶,碰到的限位关将是SQ2。
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基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。
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KX-HSFBRPHFFP型热电偶补偿导线执行标准[股份@有限公司]欢迎您我个人的喜好是使用箭头代表电源,我也没遇到过哪一位工程师喜欢R1和R2那样欧洲画法的电阻,甚至Altium里的可变电阻符号R3也没有意义,除非它有三个脚,或者在封装上把两个脚短接在一起。我也喜欢晶体管上的圆圈、短引脚、字母N或P清晰地显示MOSFET的类型,以及有助于显示管子类型的栅极引脚,可以翻转的P沟道类型,以便源极位于上面,因为更多的正电源也在上面。我很欣赏Altium/CircuitStudio显示体二极管。